Используйте установку, показанную на рисунке 1, но на этот раз в качестве изолятора используйте воздух. Как и ранее, сообщите пластине Р₁ заряд +Q и держите пластину P₂ в руке (заземлена) на постоянном расстоянии d над P₁ (рис. 2). Вы можете изменять активную площадь А пластин, дви­гая верхнюю пластину параллельно нижней. Когда площадь перекрытия пластин А₁ мала, то отклонение листка θ₁ показывает высокий по­тенциал V₁. Когда вы увеличиваете площадь перекрытия до А₂, отклонение листка уменьшается до θ₂, показывая более низкий потен­циал V₂* Это говорит о том, что емкость С увеличивается по мере увеличения площади пластин. Проще говоря, конденсатор сможет накопить больше заряда для того же потен­циала, если он имеет большие площади плас­тин. На рисунке 2, а отрицательный заряд лишь частично «покрывает» положительно за­ряженную пластину P₁, и поэтому ее влияние не столь велико, как если бы Р₂ полностью «покрывала» положительно заряженную плас­тину (рис. 2, б). В последнем положении влияние заряда на Р₂ заключается в сниже­нии потенциала на Р₁, и, следовательно, откло­нение θ₂ меньше θ₁.